2025/06/06 Fri. 14:30 pm-16:00 pm
Meeting Room, Fourth Floor, TICNN, Tianjin University
等离子体干法刻蚀(Plasma Dry Etch)在集成电路、宽禁带化合物半导体、MEMS等诸多领域中有广泛的应用,本报告将介绍ICP(电感耦合等离子体)与CCP(电容耦合等离子体)两种主流的等离子体刻蚀的基本原理、刻蚀工艺等内容。
张轶铭 博士
在国家重点实验室等单位参加完成国家重大科技专项、973、863、国家自然科学基金等多项国家科研课题与产业化项目,在半导体器件芯片、工艺制程等方面的期刊发表多篇SCI、IEEE学术论文。